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EP專題之電氣(六)電子基板4

時(shí)間:2011-06-09 08:11來(lái)源: 作者: 點(diǎn)擊:
模壓材料和注射成型材料.專家介紹.在電器工業(yè)中得到了快速發(fā)展.近年來(lái)發(fā)展極快.環(huán)氧層壓塑料在電子.專家介紹.對(duì)此突出重點(diǎn)進(jìn)行了詳細(xì)的介紹.復(fù)合材料的介電常數(shù)可以通過(guò)式.專家介

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環(huán)氧樹(shù)脂優(yōu)良的物理機(jī)械和電絕緣性能、與各種材料的粘接性能,以及其使用工藝的靈活性是其他熱固性塑料所不具備的。因此它能制成涂料、復(fù)合材料、澆鑄料、膠粘劑、模壓材料和注射成型材料,在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用。由于環(huán)氧樹(shù)脂的絕緣性能高、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度大,和密封性能好等許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),已在高低壓電器、電機(jī)和電子元器件的絕緣,及封裝上得到廣泛應(yīng)用、發(fā)展很快。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂行業(yè)協(xié)會(huì)(mcguy.net)專家介紹,這方面應(yīng)用主要表現(xiàn)在以下:電器、電機(jī)絕緣封裝件的澆注,如電磁鐵、接觸器線圈、互感器、干式變壓器等,高低壓電器的整體全密封絕緣封裝件的制造,在電器工業(yè)中得到了快速發(fā)展,從常壓澆注、真空澆注已發(fā)展到自動(dòng)壓力凝膠成型;廣泛用于裝有電子元件和線路的器件的灌封絕緣,已成為電子工業(yè)不可缺少的重要絕緣材料;電子級(jí)環(huán)氧模塑料用于半導(dǎo)體元器件的塑封,近年來(lái)發(fā)展極快,由于它的性能優(yōu)越大有取代傳統(tǒng)的金屬、陶瓷,和玻璃封裝的趨勢(shì);環(huán)氧層壓塑料在電子、電器領(lǐng)域應(yīng)用甚廣,其中環(huán)氧覆銅板發(fā)展尤其迅速,已成為電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料之一。此外,環(huán)氧絕緣涂料、絕緣膠粘劑和電膠粘劑也有大量應(yīng)用。中國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂行業(yè)協(xié)會(huì)(mcguy.net)專家介紹,對(duì)此突出重點(diǎn)進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。


    復(fù)合材料的介電常數(shù)可以通過(guò)式(1)計(jì)算:k=α1ε1k+(1-α1)ε2k(1)。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂行業(yè)協(xié)會(huì)(mcguy.net)專家介紹,式中ε表示介電常數(shù),1、2分別表示復(fù)合材料中的相,α1表示體積分?jǐn)?shù),k表示復(fù)合材料中各相的體積分布所決定的參數(shù)。在Si3N4/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中,用α1表示增強(qiáng)材料Si3N4的體積分?jǐn)?shù),ε1、ε2分別表示Si3N4和環(huán)氧樹(shù)脂的介電常數(shù)。由于Si3N4的介電常數(shù)比基體環(huán)氧樹(shù)脂高,所以隨著Si3N4體積分?jǐn)?shù)的增加,復(fù)合材料的介電常數(shù)增加。

    4、Si3N4/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的理論分析
    根據(jù)Agari的理論模型,聚合物基復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)可以用下式計(jì)算:log λc=VfCflogλf+(1-Vf)log(Cpλm)(2)。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂行業(yè)協(xié)會(huì)(mcguy.net)專家介紹,式中:V表示體積分?jǐn)?shù),λ表示導(dǎo)熱系數(shù),下標(biāo)c、f、m分別表示復(fù)合材料、填充材料和基體。Cf是表征添加物在復(fù)合材料中形成導(dǎo)熱通路難易程度因子,Cf是表征復(fù)合材料中與基體結(jié)晶狀態(tài)有關(guān)的參數(shù)。圖6為樣品導(dǎo)熱系數(shù)的對(duì)數(shù)值,隨Si3N4含量變化曲線與Agari模型的對(duì)比。從圖中可以發(fā)現(xiàn)樣品導(dǎo)熱系數(shù)的對(duì)數(shù)值,隨Si3N4含量變化曲線與Agari模型有較好的擬合。

    (四)結(jié)論

    1、以Si3N4顆粒增強(qiáng)液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂,采用模壓法制備出具有較高熱導(dǎo)率的復(fù)合電子基板材料,導(dǎo)熱系數(shù)最高達(dá)到1.71W/(m•K)(體積分?jǐn)?shù)為35%),為環(huán)氧樹(shù)脂基體的3倍;

    2、Si3N4/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合電子基板材料的介電常數(shù)隨Si3N4體積分?jǐn)?shù)的增加而增加,但在氮化硅陶瓷顆粒的體積分?jǐn)?shù)達(dá)到35%時(shí)仍維持在較低的水平(7.08,1MHz);
    3、運(yùn)用Agari模型對(duì)Si3N4/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合電子基板材料的導(dǎo)熱性能進(jìn)行理論分析,據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹(shù)脂行業(yè)協(xié)會(huì)(mcguy.net)專家介紹,結(jié)果表明樣品導(dǎo)熱系數(shù)的對(duì)數(shù)值隨Si3N4含量變化曲線與Agari模型有較好的擬合。

  以上是《EP專題之電氣(六)電子基板4》的詳細(xì)內(nèi)容。

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